Архитектура ЭВМ

Полевые транзисторы.

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, управляемый электрическим полем, усилительные свойства которого условленны потоком основных носителей, протекающих через проводящие каналы.

Основой полевого транзистора является канал с электропроводимостью N или P типа, созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами. Сопротивлением канала управляет

электрод(затвор), соединенный с его средней частью P-N перехода. Электрод, через который проводящий канал втекают носители заряда, через который из канала вытекают носители заряда, называются стоком.

Iис = Ic

Ток полевого транзистора обусловлен носителями заряда только одной полярности:

P- позитив дырки

N- негатив электрона

При подаче запирающего напряжения в затворе сток, объем проводящего канала уменьшается за счет вытеснения основных носителей полем P-N перехода. Чем выше запирающее напряжение, тем меньше ток, протекающий от истока к стоку.

Т.к. входной электрод(P-N переход) постоянно заперт, входное сопротивление транзистора очень высоко.

Существует 2 типа полевых транзисторов, которые различаются принципами управления носителей зарядов.

Эти транзисторы:

– с изолированным затвором(МДП,МОП)

– с управляющим P-N переходом.

МДП и МОП транзисторы называются транзисторами с изолированным затвором, в принципе действия лежит эффект поля, представляющий собой изменения величины и знака электропроводности на границе полупроводника с диэлектриком под действием приложенного напряжения .

Транзисторы с изолированным затвором имеют затвор электрич. изолированный от проводящего канала и подразделяются на транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. В зависимости от полярности напряжения приложенного к затвору электропроводность канала полевого транзистора может уменьшаться(при подаче запирающего напряжения) канал работает в режиме обеднения основными носителями или увеличения(канал работает в режиме обогащения).

Входное сопротивление МДП,МОП транзисторов значительно больше чем полевых транзисторов с P-N переходом и составляет МОм и ГОм.

Графическое обозначение транзистора.

Биполярные

Однопереходные транзисторы

– полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с P-каналом и с внутренним соединением подложки и истока.

Классификация системы обозначений транзисторов.

Согласно стандарту ОСТ 11.336.919-81 положено буквенно-числовое обозначение транзисторов:

1. буква или цифра

1 Г – германий и его соединения

2 К – кремний и его соединения

А – галлий и его соединения

И – для соединений И

2. Для обозначения подклассов транзистора:

Т –для биполярных

П –для полевых

3. Цифра

1-маломощные транзисторы

2-маломощные средней частоты

3-маломощныевысокочастотные

4-средней мощности низкочастотные

5-средней мощности среднечастотные

6-средней мощности высокочастотные

7-большой мощности

8-большой мощности средней частоты

9-большой мощности высокочастотные

4. Цифра от 0,1 до 999 номер порядковой разработки

5. Буквы русского алфавита от А до Я, кроме З,О,Ч

6. Классификация по электрическим параметрам транзистора

7. Цифра – обозначает конструктивные особенности транзистора

Примеры:

ГТ101А – германиевый биполярный маломощный низкочастотный, № разработки 01,гр. А

2Т339А-2 – кремниевый биполярный маломощный высокочастотный, №39, гр. А

Стары обозначения до 61 года.

Состоит из 2-х или 3-х элементов.

1-й элемент(буква) П- характеризует класс биполярных транзисторов МП – корпус металлический, способом холодной сварки

2-й элемент (цифра) от 1 до 99

1-99 германиевые маломощные низкочастотные

101-199 кремниевые маломощные низкочастотные

201-299 германиевые мощные низкочастотные

301-399 кремниевые мощные низкочастотные

401-499 германиевые маломощные ВЧ,СВЧ

501-599 кремниевые мощные ВЧ,СВЧ

601-699 германиевые мощные ВЧ,СВЧ

701-799 кремниевые мощные ВЧ,СВЧ

3-й элемент. Классификация по параметрам(буква)

Тип транзистора

Расшифровка

Uкэ max.

Iк max

B

Ƒ гр

P max

КТ3102А

Кремневый, биполярный, маломощные ВЧ и СВЧ, парам.

30В

300 мА

350

300мГц

500 мВт

КТ315Б

Кремневый, биполярный, маломощные ВЧ и СВЧ, парам.

20 В

100 мА

50-350

270 мГц

150 мВт

КТ812Б

Кремневый, биполярный, большой мощности СЧ, парам.

300 В

8 А

80

6-12 мГц

50 мВт

П609

биполярный, германиевый ВЧ и СВЧ.

25 В

300 мА

60

120 мГц

1 Вт

КТ203Б

Кремневый, биполярный, маломощный транзистор, СЧ, парам.

30 В

10 мА

30-90

10 мГц

150 мВт

П416

биполярный, германиевый ВЧ и СВЧ. Парметр.

15 В

25 мА

90-200

80 мГц

100 мВт

КТ209

Кремневый, биполярный, маломощный СЧ.

45 В

300 мА

80

10 мГц

200 мВт

Страница:  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 


Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2018 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы