Архитектура ЭВМ
3.3 Диоды
Полупроводниковые диоды.
Полупроводниковые диоды – электропреобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий один p-n переход и два выхода.
Структура диода.
Графическое изображение .
Буквами p и n обозначаются слои п
олупроводника, с проводниками соответственно
P-positive
N-negative
Полупроводниковый диод образуется простым соединением кристалла типа N и с кристаллом типа Р. Обычно концентрация основных носителей заряда(дырок в слое Р и электронов в слое N) сильно отличаются.
Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию называют электроном, а меньшую концентрацию – база.
На границе раздела P-N перехода существует потенциальный барьер, обусловленный физическими процессами.
В зависимости от соотношения линейных размеров выпрямляющего P-N перехода и характеристической длины в пути неосновных носителей заряда в базе.
Различают плоскостные и точечные диоды. Выпрямляющими свойствами может обладать контакт между металлом и полупроводником, который назван переходом Шотки. Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки(в отличии от P-N перехода) является разная высота потенциальных барьеров для электронов и дырок.
Выпрямительный диод.
Полупроводниковый диод предназначенный для преобразования переменного(2-х полярного) тока в ток одной полярности, называют выпрямительным диодом.
Высокочастотные и импульсные диоды.
Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов включения и выключения при прохождении импульсного сигнала называют импульсным диодом.
Под высокочастотными диодами обычно понимают различные типы точечных диодов.
Диоды служат для выпрямления переменного тока в импульсных устройствах.
В качестве переключателя, распределителей сигналов и т.д. Диоды пропуская ток в одном направлении преобразуют переменный ток в постоянный.
1) Вольтамперная характеристика
2) Максимально допускаемое обратное напряжение
3) максимально допустимый прямой ток
Основные типы диодов. Условно графические обозначения:
1) выпрямительные, переключающие и импульсные диоды
2) стабилитроны – полупроводниковый диод, напряжение на котором(в области электрического пробоя при обратном смещении) слабо зависит от тока в заданном диапазоне, называется стабилитроном.
3) Стабистор – полупроводниковый диод, напряжение на котором( в области электрического пробоя при прямом смещении) слабо зависит от тока в заданном диапазоне, называется стабистором.
4) Диод Шотки.
5) варикап – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения, называется варикапом.
Классификация системы обозначений. Диоды до 1982 года ГОСТ 5461-59(старого образца)
Обозначение состоит из 2-3 элементов:
1: Д-диод
2: номер
От 1 до 100 – точечный германиевый
От 101 до 200 – точечный кремниевый
От 301 до 400 – точечный германиевый
От 401 до 500 – сверхвысокочастотные диоды
3: буква обозначающая различие диодов одной серии по электрическим параметрам.
В основу обозначения полупроводниковых диодов(отраслей) ГОСТ ОСТ 1336.919-81 положен буквенно-цифровой код.
1-й элемент(цифра или буква) – обозначаем исходный полупроводниковый материал:
Г(1) – германий и его соединения
К(2) – кремний и его соединения
А(3) –галлий и его соединения
Н(4) – индий и его соединения
2-й элемент(буква) – обозначает подкласс прибора
Д-диод
А-СВЧ диоды
Ц - Выпрямительные столбы и блоки
В - варикап
И-тоннельные диоды
С-стабилитроны
Г-генераторы
Л-излучающие оптоэлектронные диоды
О-оптопары
3-й элемент(цифра) – основные функции возможности прибора, наиболее характерны эксплуатационные приборы.
4-й элемент
От 0,1 до 99
От 101 до 999
5-й элемент(буква) – условно определяющая классификацию приборов, изготовленных по единой технологии.
Пример обозначения:
2Ф204В
2-кремниевый
Ф - выпрямительный
2- хар-р эксплуатационные
04- порядковый номер разработки
В-разбраковка по параметрам
Транзисторы – полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, преобразования эл. Сигналов.
Марка |
Расшифровка |
1 пр. ток А |
I обр. ток А |
U обр. ток В |
АЛ-102А |
Галийный излучающий опто – электронный диод |
10 мА. |
- |
2 В. |
КД202А |
Кремниевый диод характерные эксплуатац. Признаки |
5 А |
0,8 мА |
50 В |
Д814Д |
Диод параметрический кремневый (стабилитрон) |
24 мА. |
- |
13 – 14 В. |
КС156А |
Кремневый стабилитрон |
10 мА. |
- |
5,6 В. |
Д814Д |
Стабилитрон кремниевый сплавной |
24 мА |
0,1 мкА |
13-14 В |
Д223Б |
Диод кремниевый сплавной |
300 мА |
1 мкА |
150 В |
3.4 Основные параметры биполярных транзисторов
Наименование параметра |
Обозначение | |
Отеч. |
Заруб. | |
Напряжение между выводами транзисторов: База-Коллектор База-Эмитор Коллектор-Эмитор |
Uбк Uкэ |
Ubc Uce |
Постоянное напряжение Коллектор-Эмитор из заданного сопротивления в цепи База-Эмитор |
Uкэr |
Ucer |
Постоянное напряжение Коллектор-Эмитор при разомкнутой цепи Базы |
Uкэо |
Uceo |
Максимально допустимое постоянное напряжение Коллектор-Эмитор |
Uкэ мах |
Uce max |
Постоянный ток вывода в транзисторы: Базы |
Iб |
Ib |
Эмиторы |
Iэ |
Ie |
Коллекторы |
Iк |
Ic |
Максимально допустимый ток коллектора |
Iк мах |
Ic max |
Обратный ток коллектора |
Iкоб |
Icr |
Обратный ток эмитора |
Iэоб |
Ier |
Коэффициент усиления потоку |
h э |
hfe |
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем