Архитектура ЭВМ

3.3 Диоды

Полупроводниковые диоды.

Полупроводниковые диоды – электропреобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий один p-n переход и два выхода.

Структура диода.

Графическое изображение .

Буквами p и n обозначаются слои п

олупроводника, с проводниками соответственно

P-positive

N-negative

Полупроводниковый диод образуется простым соединением кристалла типа N и с кристаллом типа Р. Обычно концентрация основных носителей заряда(дырок в слое Р и электронов в слое N) сильно отличаются.

Слой полупроводника, имеющий большую концентрацию называют электроном, а меньшую концентрацию – база.

На границе раздела P-N перехода существует потенциальный барьер, обусловленный физическими процессами.

В зависимости от соотношения линейных размеров выпрямляющего P-N перехода и характеристической длины в пути неосновных носителей заряда в базе.

Различают плоскостные и точечные диоды. Выпрямляющими свойствами может обладать контакт между металлом и полупроводником, который назван переходом Шотки. Характерной особенностью выпрямляющего перехода Шотки(в отличии от P-N перехода) является разная высота потенциальных барьеров для электронов и дырок.

Выпрямительный диод.

Полупроводниковый диод предназначенный для преобразования переменного(2-х полярного) тока в ток одной полярности, называют выпрямительным диодом.

Высокочастотные и импульсные диоды.

Полупроводниковый диод, имеющий малую длительность переходных процессов включения и выключения при прохождении импульсного сигнала называют импульсным диодом.

Под высокочастотными диодами обычно понимают различные типы точечных диодов.

Диоды служат для выпрямления переменного тока в импульсных устройствах.

В качестве переключателя, распределителей сигналов и т.д. Диоды пропуская ток в одном направлении преобразуют переменный ток в постоянный.

1) Вольтамперная характеристика

2) Максимально допускаемое обратное напряжение

3) максимально допустимый прямой ток

Основные типы диодов. Условно графические обозначения:

1) выпрямительные, переключающие и импульсные диоды

2) стабилитроны – полупроводниковый диод, напряжение на котором(в области электрического пробоя при обратном смещении) слабо зависит от тока в заданном диапазоне, называется стабилитроном.

3) Стабистор – полупроводниковый диод, напряжение на котором( в области электрического пробоя при прямом смещении) слабо зависит от тока в заданном диапазоне, называется стабистором.

4) Диод Шотки.

5) варикап – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости емкости от обратного напряжения, называется варикапом.

Классификация системы обозначений. Диоды до 1982 года ГОСТ 5461-59(старого образца)

Обозначение состоит из 2-3 элементов:

1: Д-диод

2: номер

От 1 до 100 – точечный германиевый

От 101 до 200 – точечный кремниевый

От 301 до 400 – точечный германиевый

От 401 до 500 – сверхвысокочастотные диоды

3: буква обозначающая различие диодов одной серии по электрическим параметрам.

В основу обозначения полупроводниковых диодов(отраслей) ГОСТ ОСТ 1336.919-81 положен буквенно-цифровой код.

1-й элемент(цифра или буква) – обозначаем исходный полупроводниковый материал:

Г(1) – германий и его соединения

К(2) – кремний и его соединения

А(3) –галлий и его соединения

Н(4) – индий и его соединения

2-й элемент(буква) – обозначает подкласс прибора

Д-диод

А-СВЧ диоды

Ц - Выпрямительные столбы и блоки

В - варикап

И-тоннельные диоды

С-стабилитроны

Г-генераторы

Л-излучающие оптоэлектронные диоды

О-оптопары

3-й элемент(цифра) – основные функции возможности прибора, наиболее характерны эксплуатационные приборы.

4-й элемент

От 0,1 до 99

От 101 до 999

5-й элемент(буква) – условно определяющая классификацию приборов, изготовленных по единой технологии.

Пример обозначения:

2Ф204В

2-кремниевый

Ф - выпрямительный

2- хар-р эксплуатационные

04- порядковый номер разработки

В-разбраковка по параметрам

Транзисторы – полупроводниковые приборы, предназначенные для усиления, преобразования эл. Сигналов.

Марка

Расшифровка

1 пр. ток А

I обр. ток А

U обр. ток В

АЛ-102А

Галийный излучающий опто – электронный диод

10 мА.

-

2 В.

КД202А

Кремниевый диод характерные эксплуатац. Признаки

5 А

0,8 мА

50 В

Д814Д

Диод параметрический кремневый (стабилитрон)

24 мА.

-

13 – 14 В.

КС156А

Кремневый стабилитрон

10 мА.

-

5,6 В.

Д814Д

Стабилитрон кремниевый сплавной

24 мА

0,1 мкА

13-14 В

Д223Б

Диод кремниевый сплавной

300 мА

1 мкА

150 В

3.4 Основные параметры биполярных транзисторов

Наименование параметра

Обозначение

Отеч.

Заруб.

Напряжение между выводами транзисторов:

База-Коллектор

База-Эмитор

Коллектор-Эмитор

Uбк

Uкэ

Ubc

Uce

Постоянное напряжение Коллектор-Эмитор из заданного сопротивления в цепи База-Эмитор

Uкэr

Ucer

Постоянное напряжение Коллектор-Эмитор при разомкнутой цепи Базы

Uкэо

Uceo

Максимально допустимое постоянное напряжение Коллектор-Эмитор

Uкэ мах

Uce max

Постоянный ток вывода в транзисторы: Базы

Ib

Эмиторы

Ie

Коллекторы

Ic

Максимально допустимый ток коллектора

Iк мах

Ic max

Обратный ток коллектора

Iкоб

Icr

Обратный ток эмитора

Iэоб

Ier

Коэффициент усиления потоку

h э

hfe

Страница:  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 


Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2018 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы