Разработка конструкции антенного модуля СВЧ

Фоторезистор наносится методом –пульверизации – распыления. В пленках получаемых таким способом расход фотерезиста уменьшается в 10 раз, дефектность слоя в 3-4 раза по сравнению с пленками, получаемыми центрифугированием. Отсутствие краевого утолщения делает метод эффективным при нанесении фоторезистора на прямоугольные подложки. Для нанесения фоторезиста применить полуавтомат ПНФ – 1Р, техниче

ские характеристики которого приведены в таблице 6.2 [7].

Таблица 6.2 – Технические характеристики полуавтомата нанесения фоторезиста ПНФ – 1Р

Технические характеристики

Значение

1. Производительность, подложек/ч

2. Число одновременно обрабатываемых подложек, шт

3. Скорость перемежения, мм/с

- форсунки;

- стола;

4. Напряжение питания, В

5. Потребляемая мощность, кВт

6. Размеры, мм

7. Масса, кг

До 500

До 15

100-150

10-25

380(50Гц)

2

1000*1800*1200

430

Для сушки и дубления фоторезистора применить установку УСДФ – 1 (д ЕМ 3,023,002), характеристики которой приведены в таблице 6.3 [7].

Таблица 6.3 – Технические характеристики установки УСДФ – 1 (д. ЕМ 3,023,002)

Технические характеристики

Значения

1. Производительность, подложек/ч

2. Диапазон времени сушки и дубления, мин

3. Качество одновременно обрабатываемых подложек, шт

4. Размеры подложек, мм

5. Температура нагрева в камере при дублении,

6. Установленная мощность, кВт

7. Масса, кг

До 40

От 0 до 30

10

60*48*0,5

от 20 до 200

1000*1538*1796

390

Для операции совмещения экспонирования применить установку полуавтоматического совмещения и экспонирования УПСЭ – 4, технические характеристики который приведены в таблице 6.4 [7].

Таблица 6.4 – Технические характеристики установки полуавтоматического совмещения и экспонирования УПСЭ-4

Технические характеристики

Значения

1. Диаметр пластинки, мм

2. Размеры фотошаблона, мм

3. Точность совмещения, лекм

4. Производительность, подложек/ч

5. Увеличение микроскопа

6. Поя зрения микроскопа, мм

7. Время экспонирования, с

8. Потребления мощности, Вт

9. Размеры, мм

10. Масса, кг

75

100*100*100

1

100

и

3,5 и 1,75

0,1 – 240

4

2600*1930*1960

800

Для операции травления применить полуавтомат травления универсальный ПТУ – 1 (д ЕМ 3,240,009), технические характеристики которого приведены в таблице 6.5 [7].

Таблица 6.5 – Технические характеристики полуавтомата правления ПТУ – 1 (д ЕМ 3,240,009)

Технические характеристики

Значения

1. Производительность, подложек/ч

2. Диапазон выдержек времени травления, с

3. Количество одновременно обрабатываемых подложек

4. Размер подложки, мм

5. Диапазон времени очистки подложки от шлака, с

6. Диапазоны температуры подогрева воздуха, с

7. Расход сжатого воздуха давлением 2,50,5ат,м

8. Расход деионизованной воды с удельным сопротивлением не менее 15МОн*см при температуре и давлении 1,5 ат, л/ч

9. Установленная мощность, кВт

10. Габаритные размеры. Мм

11. Масса, кг

от 15 до 180

3 шт

60*48*0,5

от 15 до 180

от 20 до 200

от 15 до 20

от 60 до 100

1

1000*1300*1800

500

Для контроля качества обезжиривания, проявления, травления при выполнении процесса фотолитографии использовать установку визуального контроля УВК-1 (д ЕМ 2,790,002), характеристики которой приведены в таблице 6.6 [7].

Элементарное осаждение основано на электролизе растворов под действием электрического тока и осаждения метала на катоде. Осаждения слоя металла проводится в окнах резистивной защитной маски на предварительно нанесенной токопроводящий подслой, который используется в качестве электрического контакта (полуадитивная технология).

При формировании медного проводящего слоя номинальной толщины электрическим – осаждения необходимо получить плотный (беспористый) мелкокристаллический осадок с минимальным удельным сопротивлением, не снижающий класса обработки поверхности платы обеспечивающий высокую точность выполнения последующих операций.

Таблица 6.6 – Технические характеристики установки визуального контроля УВК-1 (д ЕМ 2,790,002)

Технические характеристики

Значения

1. Производительность, подложек/ч

2. Режим работы

3. Мощность

4. Общее увеличение микроскопа, крат

5. Производительность приточно – вытяжкой вентиляции, м

6. Установленная мощность, кВт

7. Габаритные размеры

8. Масса, кг

20

ручной

мБС – 1

88

0,6

1000*1200*1550

248

В качестве защитных антикоррозионных покрытий применить комбинированное покрытие . Осаждение проводится по сформированному на лицевой стороне платы рельефу схемы, что обеспечивает полную защиту торцов элементов на плате. Никелевый подслой предотвращает диффузию между медью и золотом.

С целью экономии драгметаллов на экранную сторону платы применить антикоррозийное покрытие на основе сплава олова (). Перед осаждением сплава олова применить никелевый подслой, предотвращающий диффузию, между медью и олово – висмутом.

Для электрического осаждения необходимо: ванна цеховая, источник постоянного тока, за ним лабораторный, часы сигнальные, вентилятор бытовой, микроскоп стереоскопический, а также электрощиты.

Страница:  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 
 16  17 


Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2024 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы