Теоретические основы построения модуляторов и демодуляторов
 . (30)
. (30) 
При неограниченном уменьшении входной проводимости усилителя по сравнению с проводимостью колебательного контура ( ) погрешность (30) реализации отрицательной активной проводимости
) погрешность (30) реализации отрицательной активной проводимости 
 (31
 (31
)
и схема (см. рис.9) позволяет получить высокую линейность компенсации проводимостей резонансного контура в широком диапазоне изменения его активной составляющей, связанной как с перестройкой по частоте  (15), так и с изменением основных параметров (L,C).
(15), так и с изменением основных параметров (L,C). 
При использовании управляемой проводимости (8.260) в виде емкости ( ) реализуемая отрицательная активная составляющая проводимости по аналогии с (28)
) реализуемая отрицательная активная составляющая проводимости по аналогии с (28) 
 . (32)
. (32) 
Для реализации схемой (см. рис.9) отрицательной проводимости необходимо в (32) обеспечить  .
. 
Проведенный анализ для случая  показал, что схема, представленная на рис. 9, ведет себя так же, как и при
показал, что схема, представленная на рис. 9, ведет себя так же, как и при  (32). Однако при реализации этого варианта в интегральном исполнении имеются трудности, связанные с проблемой индуктивности в микроэлектронике [1].
(32). Однако при реализации этого варианта в интегральном исполнении имеются трудности, связанные с проблемой индуктивности в микроэлектронике [1]. 
3. Прецизионный амплитудный модулятор
Совмещение функций генерирования и модуляции по амплитуде или частоте колебаний в автогенераторе нецелесообразно, так как это приводит к неконтролируемому повышению нестабильности частоты, которую стремятся уменьшать всевозможными средствами, включая термостатирование автогенератора. В связи с этим данные операции разделяют, оставляя функцию генерирования колебаний в автогенераторе, а функцию модуляции колебаний осуществляют с помощью отдельных амплитудных или частотных модуляторов, что определяет необходимость совершенствования их схемотехники.
Построение амплитудных модуляторов, работающих на относительно низких и средних частотах c использованием ПТ и ОУ, а также перемножителей сигналов, рассмотрено в работах [1,3].
Широкополосный амплитудный модулятор, способный работать на высоких (сотни мегагерц) частотах, может быть реализован на основе схемы ШУН (рис. 10) с симметричным выходом и управлением высокочастотного (несущего) сигнала  путем изменения тока
путем изменения тока  ГСТ под влиянием низкочастотного (модулирующего) сигнала
ГСТ под влиянием низкочастотного (модулирующего) сигнала  , так как коэффициент передачи ДУ линейно связан с величиной этого тока.
, так как коэффициент передачи ДУ линейно связан с величиной этого тока. 
Для изменяющегося во времени тока ГСТ  амплитудного модулятора, представленного на рис.10, в котором модулирующий сигнал
амплитудного модулятора, представленного на рис.10, в котором модулирующий сигнал  подается в его токозадающую цепь через повторитель сигнала на ОУ1, можно записать:
подается в его токозадающую цепь через повторитель сигнала на ОУ1, можно записать: 
 , (33)
, (33) 
где  ,
,  и
и  - напряжение питания отрицательной полярности, напряжение база-эмиттер БТ Т3 и постоянная составляющая тока ГСТ
- напряжение питания отрицательной полярности, напряжение база-эмиттер БТ Т3 и постоянная составляющая тока ГСТ 
 . (34)
. (34) 
Выходное симметричное напряжение модулятора с учетом (33)
  
 
 , (35)
, (35) 
где  - изменяющаяся во времени t крутизна БТ дифференциальной пары Т1, Т2.
- изменяющаяся во времени t крутизна БТ дифференциальной пары Т1, Т2. 
|  | 
Рис. 10. Прецизионный амплитудный модулятор
При входных синусоидальных сигналах
 , (36)
, (36) 
 , (37)
, (37) 
где  ,
,  и
и  ,
,  - амплитуды и частоты соответственно несущего и модулирующего сигналов,
- амплитуды и частоты соответственно несущего и модулирующего сигналов, 
выходное напряжение (35) модулятора приобретает вид амплитудно-модулированного колебания
  
 
 , (38)
, (38) 
где  и m – амплитуда несущей и глубина модуляции с учетом (34) сигнала с АМ,
и m – амплитуда несущей и глубина модуляции с учетом (34) сигнала с АМ, 
 , (39)
, (39) 
 . (40)
. (40) 
Как следует из формулы (39), коэффициент передачи по несущей
 (41)
 (41) 
соответствует коэффициенту передачи ДУ, амплитуда неискаженного выходного сигнала которого не может превышать удвоенного значения падения напряжения на резисторе нагрузки  в режиме покоя. Следовательно, максимальный уровень несущей на симметричном выходе модулятора должен удовлетворять условию
в режиме покоя. Следовательно, максимальный уровень несущей на симметричном выходе модулятора должен удовлетворять условию 
 , (42)
, (42) 
при этом уровень входного сигнала (36) может быть не выше удвоенного температурного потенциала
 . (43)
. (43) 
Амплитуда модулирующего сигнала (37) при непревышении стопроцентной глубины модуляции ( ), как видно из формулы (40), должна быть на напряжение база-эмиттер третьего транзистора меньше напряжения источника питания отрицательной полярности
), как видно из формулы (40), должна быть на напряжение база-эмиттер третьего транзистора меньше напряжения источника питания отрицательной полярности 
 . (44)
. (44) 
Амплитуду сигнала (44) можно получить на выходе повторителя сигнала (рис.10) при тех же питающих напряжениях ОУ1, что и модулятора в целом. Если требуемый ток  превышает допустимый выходной ток используемого ОУ1, то целесообразно в токозадающей цепи ГСТ ток уменьшить, выбрав номиналы резисторов
превышает допустимый выходной ток используемого ОУ1, то целесообразно в токозадающей цепи ГСТ ток уменьшить, выбрав номиналы резисторов  и
и  из соотношения
из соотношения  , и рассчитать номинал резистора
, и рассчитать номинал резистора  , исходя из формулы (34),
, исходя из формулы (34), 
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем

 Скачать реферат
 Скачать реферат