Проектирование высокочастотного генератора синусоидальных сигналов
Сигнал, полученный на осциллографе, представлен в приложении.
Из этих рисунков видно, что форма полученного сигнала имеет форму синусоиды, частота которой не сильно отличается от заданной в ТЗ (5000750Гц).
Выводы
В результате выполнения курсовой работы был спроектирован высокочастотный генератор синусоидальных сигналов в соответствии с ТЗ.
Поскольку применение генераторов
с колебательными контурами (типа RC) для генерирования колебаний высокой частоты не удовлетворяет, для разрабатываемого генератора была взята схема типа LC (в качестве фазирующей цепочки взята трехточечная схема с автотрансформаторной связью, активный элемент - транзистор).
После расчета выбранной схемы был произведен ее анализ (разработана математическая модель) в Electronics Workbench. На осциллографе, включенном на выходе рассчитанного генератора, синусоидальный сигнал с частотой f = 5000750Гц, что соответствует отклонению в ТЗ.
При нагрузке 2 кОм выходная мощность генератора составляет 0,225 Вт.
Техническая документация (перечень элементов) представлена в приложении.
Список использованной литературы
1. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. – Киев: Вища школа. Изд-во при Киев. ун-те, 1983. – 240 с.
2. Бондаренко В.Г. LC-генераторы синусоидальных колебаний. М., “Связь”, 1976. – 208 с. с ил.
3. Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Биполярные транзисторы низкочастотные. Справочник. В 4 т. Т.2. Издание второе, исправленное. – М.: ИП РадиоСофт, 1999. – 544 с., ил.
Приложение А
 
 
Приложение Б
 
 
Приложение В
| Поз. Обозна-чение | Наименование | Кол | Примечание | 
| Конденсаторы | |||
| С1 | КМ-6–1нФ ´ 63В ± 5% ОЖО.464.031 ТУ | 1 | |
| С2 | К50 –400мкФ ´ 63В ± 20% ОЖО.464.031 ТУ | 1 | |
| С3 | КМ-6–85пФ ´ 63В ± 5% ОЖО.464.031 ТУ | 1 | |
| С4 | К50 –100мкФ ´ 63В ± 20% ОЖО.464.031 ТУ | 1 | |
| Кату шки индуктивности | |||
| L1 | 11,22 мкГн | 1 | |
| L2 | 0.08 мкГн | 1 | |
| Резисторы ГОСТ 7113–77 | |||
| R1 | МЛТ– 0.125 – 340 кОм ± 5% | 1 | |
| R2 | МЛТ– 0.125 – 720 кОм ± 10% | 1 | |
| R3 | МЛТ– 0.25– 100 Ом ± 5% | 1 | |
| Транзистор | |||
| VT1 | КТ668В (BС393) | 1 | 
Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
Поиск рефератов
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем

 Скачать реферат
 Скачать реферат