Проектирование высокочастотного генератора синусоидальных сигналов

Сигнал, полученный на осциллографе, представлен в приложении.

Из этих рисунков видно, что форма полученного сигнала имеет форму синусоиды, частота которой не сильно отличается от заданной в ТЗ (5000750Гц).

Выводы

В результате выполнения курсовой работы был спроектирован высокочастотный генератор синусоидальных сигналов в соответствии с ТЗ.

Поскольку применение генераторов

с колебательными контурами (типа RC) для генерирования колебаний высокой частоты не удовлетворяет, для разрабатываемого генератора была взята схема типа LC (в качестве фазирующей цепочки взята трехточечная схема с автотрансформаторной связью, активный элемент - транзистор).

После расчета выбранной схемы был произведен ее анализ (разработана математическая модель) в Electronics Workbench. На осциллографе, включенном на выходе рассчитанного генератора, синусоидальный сигнал с частотой f = 5000750Гц, что соответствует отклонению в ТЗ.

При нагрузке 2 кОм выходная мощность генератора составляет 0,225 Вт.

Техническая документация (перечень элементов) представлена в приложении.

Список использованной литературы

1. Гершунский Б.С. Справочник по расчету электронных схем. – Киев: Вища школа. Изд-во при Киев. ун-те, 1983. – 240 с.

2. Бондаренко В.Г. LC-генераторы синусоидальных колебаний. М., “Связь”, 1976. – 208 с. с ил.

3. Петухов В.М. Транзисторы и их зарубежные аналоги. Биполярные транзисторы низкочастотные. Справочник. В 4 т. Т.2. Издание второе, исправленное. – М.: ИП РадиоСофт, 1999. – 544 с., ил.

Приложение А

Приложение Б

Приложение В

Поз.

Обозна-чение

Наименование

Кол

Примечание

       
 

Конденсаторы  

   

С1

КМ-6–1нФ ´ 63В ± 5% ОЖО.464.031 ТУ

1

 

С2

К50 –400мкФ ´ 63В ± 20% ОЖО.464.031 ТУ

1

 

С3

КМ-6–85пФ ´ 63В ± 5% ОЖО.464.031 ТУ

1

 

С4

К50 –100мкФ ´ 63В ± 20% ОЖО.464.031 ТУ

1

 
       
       
 

Кату

шки индуктивности

   

L1

11,22 мкГн

1

 

L2

0.08 мкГн

1

 
       
       
       
 

Резисторы ГОСТ 7113–77

   

R1

МЛТ– 0.125 – 340 кОм ± 5%

1

 

R2

МЛТ– 0.125 – 720 кОм ± 10%

1

 

R3

МЛТ– 0.25– 100 Ом ± 5%

1

 
       
       
       
 

Транзистор

   

VT1

КТ668В (BС393)

1

 

Страница:  1  2  3  4  5 


Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2024 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы