Аналоговые перемножители и напряжения
20. Gomeniuk, Y.V. Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique / Y.V. Gomeniuk, V.S. Lysenko, I.N. Osiyuk, I.P. Tyagulski, et al.// Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. – 2008. – № 3. – P. 74–80. – Engl. Il.: 8. Ref.: 16.
Скачать рефератДругие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:
- Физические основы работы светоизлучающих диодов
- Структурированная кабельная система на 292 порта зданий гимназии
- Электроснабжение садоводства
- Идентификация и моделирование технологических объектов
- Разработка функциональной цифровой ячейки от функциональной логической схемы проектируемого узла до печатной платы узла
Поиск рефератов
Loading
Последние рефераты раздела
- Микроконтроллер системы управления
- Разработка алгоритмического и программного обеспечения стандарта IEEE 1500 для тестирования гибкой автоматизированной системы в пакете кристаллов
- Разработка базы данных для информатизации деятельности предприятия малого бизнеса Delphi 7.0
- Разработка детектора высокочастотного излучения
- Разработка микропроцессорного устройства для проверки и диагностики двигателя внутреннего сгорания автомобиля
- Разработка микшерного пульта
- Математические основы теории систем