Программатор микроконтроллеров и микросхем памяти

Рисунок 9 УГОК580BB55А

Назначение выводов: 1, 2, 3, 4 – входы/выходы канала А; 5 – чтение информации; 6 – выбор микросхемы; 7 – общий; 8, 9 – адрес (младшие разряды); 10…17 – входы/выходы канала С; 18, 19,20, 21, 22, 23, 24, 25 – входы/выходы канала В; 26 – напряжение питания; 27, 28, 29, 30, 31, 32, 33,

34 – входы/выходы канала данных; 35 – установка и исходное состояние; 36 – запись информации; 37, 38, 39, 40 – входы/выходы канала А.

Электрические параметры

Номинальное напряжение питания 5В ± 5%;

Выходное напряжение высокого уровня по каналам А, В, С, D: ≤ 2,4 В;

Выходное напряжение низкого уровня по каналам А, В, С, D: ≤ 0,45 В;

Ток потребления: ≤ 120 мА;

Выходной ток к состоянии «выключено»: ≤ 10мА;

Ток утечки по управляющим входам: ≤ |-10| мкА

Входной ток высокого уровня по каналам В и С: -1…-4 мА;

Время установления данных D7…D0 относительно сигнала RD: ≤ 250 нс;

Длительность сигнала RD: ≥ 300 нс;

Длительность сигнала WR: ≥ 400 нс;

Время установления адреса А1, А0 и сигнала CS относительно сигнала WR: 0 нс;

Время сохранения канала ВА, ВВ относительно сигнала WR: ≤ 350 нс;

Предельно допустимые режимы эксплуатации

Максимальное напряжение питания: 5,25 В;

Максимальное напряжение на вводах высокого уровня: 5,25 В;

Максимальное напряжение на выводах низкого уровня: 0,8 В;

Максимальный выходной ток высокого уровня: |-0,2| мА;

Максимальный выходной ток низкого уровня: 1,7 мА;

Максимальная ёмкость нагрузки: 190 пФ;

Температура окружающей среды: -10…+70 ⁰С.

3.1.2 Транзисторы.

Транзи́стор - трёхэлектродный полупроводниковый электронный прибор, в котором ток в цепи двух электродов управляется третьим электродом. Управление током в выходной цепи осуществляется за счёт изменения входного напряжения. Небольшое изменение входных величин может приводить к существенно большему изменению выходного напряжения и тока. Это усилительное свойство транзисторов используется в аналоговой технике (аналоговые ТВ, радио, связь и т. п.). В настоящее время в аналоговой технике доминируют биполярные транзисторы (БТ). Другой важнейшей отраслью электроники является цифровая техника (логика, память, процессоры, компьютеры, цифровая связь и т. п.), где, напротив, биполярные транзисторы почти полностью вытеснены полевыми.

Вся современная цифровая техника построена, в основном, на полевых МОП (металл-оксид-полупроводник)-транзисторах (МОПТ), как более экономичных, по сравнению с БТ, элементах. Иногда их называют МДП (металл-диэлектрик-полупроводник)- транзисторы. Транзисторы изготавливаются в рамках интегральной технологии на одном кремниевом кристалле (чипе) и составляют элементарный «кирпичик» для построения микросхем памяти, процессора, логики и т. п. Размеры современных МОПТ составляют от 90 до 32 нм. На одном современном чипе (обычно размером 1—2 см²) размещаются несколько (пока единицы) миллиардов МОПТ. На протяжении 60 лет происходит уменьшение размеров (миниатюризация) МОПТ и увеличение их количества на одном чипе (степень интеграции), в ближайшие годы ожидается дальнейшее увеличение степени интеграции транзисторов на чипе. Уменьшение размеров МОПТ приводит также к повышению быстродействия процессоров. Каждую секунду сегодня в мире изготавливается полмиллиарда МОП - транзисторов.

Характеристики выбранных биполярных транзисторов представлены в таблице 8.

Таблица 8. Характеристики биполярных транзисторов

Условные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов:

B1-B2/Iк статический коэффициент передачи тока

Fт предельная частота коэффициента передачи тока

Iко обратный ток коллектора

Uкб максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база

Uэб максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база

Uкэ/R максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером ®

Iбм предельно допустимый постоянный ток базы

Iкм/Iкнас предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкнас)или в импульсе

Pк максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе

Pк/Pт максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт).

 Скачать реферат