Усилитель низкой частоты

В соответствии с рассчитанными параметрами выберем пару транзисторов КТ825В(p-n-p) и КТ824В(n-p-n).

Параметры транзисторов:

максимальное напряжение коллектор - эмиттер: 65 (В);

статический коэффициент передачи тока: ;

максимальная рассеиваемая мощность: ;

максимальный ток коллектора: ;

рабочие напряжение транзистора: ;

напряжение открывания транзистора: ;

ток утечки: ;

температура перехода tп=175 0С;

Так данные транзисторы являются мощными, то при работе в схеме они очень сильно нагреваются и могут сгореть от перегрева. Для нормальной работы этих элементов требуется устанавливать их на радиаторы. Рассчитаем площадь теплоотвода для данных транзисторов.

Подставив данные получим: S>7.5 см2, примем S=9 см2.

Произведем выбор резисторов R9 и R8 (на общей схеме – R10 и R13, соответственно) используя условия протекания тока утечки через резистор R6:

>

< ,

(3.13)

- рабочий ток базы транзисторов.

Тогда сопротивление R13 найдем по формуле:

(3.14).

. R10 = R13 =900 (Ом).

Выберем сопротивления R13 и R10 из ряда Е24: R13 = R10 = 910(Ом.).

(3.15)

- мощность рассеиваемая на этих резисторах,

выберем РR13 = PR10 = 0.125 (Вт).

Выбор транзисторов VT1,VT3.

(3.16)

Максимальный ток через транзистор VT1 равен:

.

(3.17)

Максимальное напряжение на транзисторе VT1 равно:

.

(3.18)

Мощность, рассеиваемая на транзисторе равна:

.

Выберем пару комплиментарных транзисторов КТ820Б(p-n-p) и КТ821Б(n-p-n). Параметры транзисторов:

напряжение коллектор эмиттер: ;

статический коэффициент передачи: ;

максимальная рассеваемая мощность: ;

максимальный ток коллектора: .

температура перехода t=125 0C.

Данные транзисторы также относятся к классу мощных и для них требуются теплоотводы. Рассчитаем площадь радиаторов аналогично предыдущему случаю и получим: S>138 см2, отсюда S=150 см2.

Выбор диодов VD1 и VD2.

Выбор диодов производится по среднему прямому току и среднему обратному напряжению на диоде .

Рассчитаем ток диода:

(3.19)

.

По выходной характеристике для транзистора VT1 задавшись током , найдем напряжение , получим =0.35(В). Тогда напряжение на диоде равно . Выберем диоды МД3:

среднее обратное напряжение диода: ;

средний прямой ток: .

Выбор резисторов R6, R7 ( на общей схеме – R9 и R12).

(3.20)

- ток через резистор R8.

тогда

(3.21)

тогда , причем , возьмем их из ряда Е-24.

(3.22)

- мощность, рассеиваемая на резисторах,

выберем .

Выбор резисторов R10,R11( на общей схеме – R14 и R11)

Выбор произведем из условий:

и (3.23)

получаем: и

. (3.24)

тогда:,.

Выберем сопротивления R14,R11 из ряда Е24: R14=180 (Ом), R11=680 (Ом).

Найдем мощность рассеиваемую на резисторах:

, (3.25)

, .

выберем: ,.

4. Выбор обратной связи и ОУ для ВУ и ПУ

По условию технического задания необходимо обеспечить величину коэффициента нелинейных искажений УМ в соответствии с техническим заданием . Определим величину глубины ООС по формуле:

 Скачать реферат