Цифровая обработка сигналов

NMT6403 - первый TIM-модуль, разработанный на базе нейропроцессора NeuroMatrix® NM6403. Модуль соответствует известному стандарту по проектированию TIM-модулей фирмы Texas Instrument. Содержит один процессор NM6403, к шинам которого подключены микросхемы памяти: 32 Мбайта DRAM (или 4 Мслов), 1 Мбайт SRAM и 1 Мбайт FLASH. Два коммуникационных порта подсоединены к разъему J1 TIM-модуля. Предусмот

рен режим загрузки процессора как с компорта, так и из FLASH ID/Boot ROM.

Основные характеристики:

1. Вычислительный TIM-модуль;

2. Один процессор NM6403;

3. DRAM - 32 Мбайта;

4. SRAM-1 Мбайт;

5. FLASH - 1 Мбайт;

6. 50 MIPS, 1.2 GMACS (на частоте 50 МГц);

7. Напряжения питания - +З.ЗВ и +5В;

8. Максимальная потребляемая мощность - 4 Вт.

Области применения:

1. Мультипроцессорные DSP системы;

2. Нейросетевые акселераторы;

3. Матричные акселераторы;

4. Системы обработки изображений;

5. Телекоммуникационные системы.

Технические характеристики:

1. TIM-модуль размером 1 слот;

2. Хост-система: Windows 3.1, Windows 95/98/NT;

3. Количество процессоров: 1;

4. Тактовая частота: 50 МГц;

5. Размер платы: 107x63,5 мм;

6. Программное обеспечение: NeuroMatrix® NM6403 SDK, библиотеки.

Техническое описание

NMT403 представляет собой стандартный TIM-модуль с процессором NM6403. Функциональная схема модуля приведена на рис 2.

функциональная схема TIM-модуля

Рис. 2. Функциональная схема TIM-модуля

FLASH

Модуль NMT403 содержит энергонезависимую программируемую FLASH-память объемом 1 Мбайт и организацией 128Кх64, FLASH-память подключена к глобальной шине процессора, доступна при обращении по адресам С000000 - C003FFFF. Запись информации в память возможна только при установленном замыкателе J4, запись в ВООТ-блок FLASH-памяти осуществляется только при установленном в положение "1" замыкателе J5. Начальная загрузка процессора может осуществляться из FLASH-памяти или с компорта. Загрузка процессора через компорт производится при установленном в положение "1" замыкателе J3.

DRAM

На локальной шине процессора NM6403 в качестве банка 1 используется динамическая память объемом 32 Мбайта и организацией 4Мх64. Обмен с памятью в пределах одной страницы осуществляется за 3 такта, в разных страницах - за 5 тактов.

SRAM

На глобальной и локальной шинах процессора NM6403 в качестве банка О используется статическая память объемом 512 Кбайт и организацией 64Кх64, реализованная на микросхемах фирмы Motorola MCM6323A с временем выборки 10 нсек. Такое быстродействие позволяет процессору осуществлять обмен с памятью за 1 такт. Конструкция платы обеспечивает возможность расширения объема статической памяти до 2 Мбайт при использовании микросхем со стандартной цоколевкой.

Распределение памяти

Адрес

Ресурс

Примечание

00000000-0001FFFF

SRAM на локальной шине

обмен за один такт, банк 0

40000000 - 407FFFFF

DRAM на локальной шине

обмен за 3-5 тактов, банк 1

80000000-8001FFFF

SRAM на глобальной шине

обмен за 1 такт, банк 0

C0000000 - C003FFFF

FLASH на глобальной шине

программируемая, банк 1

Замыкатели

Установки трех замыкателей в соответствующее положение определяет конфигурацию модуля:

Табл. 1. Разъемы и соединители модуля NMT403

Обозначение

Назначение

Положение

J3

Выбор режима инициализации процессора – через компорты или через прерывание

Для инициализации через компорты

установить в положение " 1''

J4

Разрешение записи во FLASH-память

(коммутирует напряжение Vpp)

Установить замыкатель

J5

Разрешение записи в ВООТ-блок FLASH памяти

Установить замыкатель в положение " 1''

Основные технические характеристики

Наименование

Значение  

Единица измерения  

Количество компортов

2

 

Процессор

NM6403

 

Частота тактовых импульсов

40/50

МГц

Объем памяти SRAM

1

Мбайт

Объем памяти DRAM

32

Мбайт

Размер ТIМ-модуля

1 size

 

Длина платы

107

мм

Ширина платы

63.5

мм

Высота элементов на оборотной стороне платы

0.17

дюйм

Высота элементов на лицевой стороне платы

0.55

дюйм

Толщина платы

1.6

мм

Напряжение питания VCC

2.97-3.63

В

Напряжение питания VDD

4.5 - 5.5

В

Потребляемая мощность

4

Вт

 

Страница:  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15 
 16  17  18  19  20  21  22  23  24  25 


Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2024 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы