Расчёт интегральной микросхемы

где смысл параметров ясен из рисунка 4.1.

=см; =см; =eight=24 src="images/referats/15375/image124.png">см; =см; =см; l=см.

,

,

пФ ,

пФ.

Так как значения паразитных емкостей незначительны, то никаких мер принимать не следует.

6. Оценка надежности ИМС

В данном случае интенсивность отказов полупроводниковой ИМС с учетом того, что время появления внезапных отказов распределено по экспоненциальному закону, определяется выражением

(6.1)

где m – число групп элементов;

- число элементов данного типа;

- поправочный коэффициент, учитывающий влияние температуры окружающей среды и электрической нагрузки;

- поправочный коэффициент, учитывающий влияние механического воздействия, влажности и изменение атмосферного давления; ; =1,07 для полевых условий эксплуатации, =2,5 при влажности 90% и температуре 40, =1 для высоты уровня моря;

- интенсивность отказов элементов, металлизации, кристалла и конструкции.

Значения интенсивностей отказов определим по следующим формулам

, (6.2)

, (6.3)

, (6.4)

где - интенсивность отказов из-за дефектов, обусловленных диффузией (=);

- интенсивность отказов из-за дефектов металлизации (=);

- интенсивность отказов из-за дефектов оксида (=);

- интенсивность отказов из-за дефектов от посторонних включений в корпусе (=);

- интенсивность отказов из-за поверхностных и структурных дефектов кристалла (=);

- интенсивность отказов из-за некачественного крепления кристалла (=);

- интенсивность отказов из-за обрыва термокомпрессионного сварного соединения (=);

- интенсивность отказов из-за повреждения корпуса(для пластмассового корпуса=);

,, - интенсивности отказов элементов, металлизации, и кристалла соответственно;

- число стадий диффузии при формировании элемента (для транзистора – 4, для резистора – 2, для конденсатора – 3);

,, - площади элементов, металлизации, и кристалла соответственно(площадь одного транзистора составляет – 0,015, конденсатора – 0,058, суммарная площадь металлизации – 0,32, площадь кристалла – 1,15).

К компонентам ненадежности относится также корпус и соединения, значения интенсивностей отказов которых были рассмотрены ранее.

2,675*(12*1,1*(*4+*0,015)+1,7*(*2+*0,073)+ 1,7*(*2+*0,012)+1,7*(*2+*0,003)+ 1,7*(*2+*0,01)+1,7*(*2+*0,009)+1,2*(*2+*0,058)+1,3(++)*0,32+*1,15+++=

 Скачать реферат