Исследование и разработка методов и технических средств и измерения для формирования статистических высококачественных моделей радиоэлементов

Ikf- предельного тока при высоком уровне инжекции;

Ви - обратного напряжения пробоя;

Rs - объёмное сопротивление;

Uk - контактной разности потенциалов;

Со - барьерной ёмкости при нулевом смещении перехода.

Однако в реальных моделях пользователю представляется возможным учитывать только температурную зависимость параметра Is [8]. Остальные температурные зависимости не учитыва

ют, обнуляя по умолчанию соответствующие температурные коэффициенты.

Линейная модель диода, представляющая собой линейную схему замещения в рабочей точке, показана на рисунке 2.10, где: R - объёмное сопротивление; С(Ц) -ёмкость р-п перехода в i- ой рабочей точке; Uj - напряжения на р-n переходе в i- ой рабочей точке; 1,2 - узлы подключения.

Диффузионная проводимость диода в рабочей точке, рассчитывается по формуле:

G = d(KJl)ldU , (2.33)

где kj - коэффициент инжекции.

В модели также предусмотрен учёт шумовых свойств диода при включении источников шума по схеме рисунка 2.11, где ток 1ШГ характеризует тепловой шум, а ток 1щд дробовой и фликер шумы диода.

В рассмотренной модели диода предусмотрено описание её посредством 29 параметров, однако, базовая модель представляемая пользователю содержит только 10 из них [8].

Вопросы о целесообразности такого "усечения" модели не обсуждаются. Эта модель соответствует моделям, используемым на первых этапах развития САПР. Например, в [7] рассмотрена аналогичная макромодель диода, для описания которой используется также 10 параметров. На наш взгляд такое "усечение" модели связано со сложностью аттестации параметров полных моделей. Из анализа "усечённых" моделей совершенно ясно, что принятые за основу этих моделей 10 параметров мо­гут быть аттестованы по паспортным данным диодов, другими словами, при исключении дополнительных измерений, необходимых для аттестации полной версии модели.

С другой стороны, при описании ВАХ по Эберсу-Моллу за основу выбирают структуру идеального р-n перехода, в котором прямая ветвь описывается экспонентой, а обратная монотонной функцией. Однако реальные р-n переходы имеют более сложную структуру. Так согласно сведениям, приведённым в [И] прямая ветвь ВАХ диода может содержать 5 участков, связанных с различными механизмами образования тока, некоторые из которых обусловлены нарушением условий на границах базы с омическим переходом.

В книге [12] показано, что отличие прямой ветви ВАХ р-n перехода от идеальной, а также характер неоднородностей его обратной ветви могут служить критериями надёжности прибора. Также в анализируемой модели [8] не отражены статистические характеристики параметров.

Встроенная макромодель магнитного сердечника [8] отражает известные представления о движении доменных грани магнитного материала и даёт возможность выразить все основные характеристики гистерезиса, такие как кривая начальной намагниченности, намагниченность насыщения, коэрцитивная сила, остаточная намагниченность.

Базовая модель формируется на основании 10 параметров, из них четыре представляют собой геометрические параметры. Предусмотрено два уровня моделирования, причём модель первого уровня формируется на основе семи параметров.

В основе математического описания статического режима положено уравнение безгистерезисной кривой намагничивания

В модели предусмотрен учёт влияния воздушного зазора, определение свойств сердечника и их аттестация по экспериментальным данным.

Макромодели высокочастотных резисторов и конденсаторов определяют по эквивалентной схеме рисунок 2.5.

Недостаток моделей рисунка 2.5 заключается в том, что в ряде случаев существует значительная частотная зависимость параметров R для рисунка 2.56 и Rn. Поэтому использование данных моделей без учёта частотных зависимостей, указанных в них элементов, может привести к увеличению погрешности расчёта.

Компонентная модель нелинейной ёмкости в PSpice представляется в виде произведения эталонной ёмкости С0 и Uin управляющего напряжения

C = C0Um. (2.37)

Графическое представление этой макромодели показано на рисунке 2.12, где внутренняя структура из элементов UH, Us, и С0 представляет собой блок, a Un+ напряжение на ёмкости Со, 1Г - ток через источник Us. Здесь закон изменения ёмкости задаётся напряжением Uin.

а) схемное обозначение; б) макромодель; в) схема замещения макромодели Рисунок 2.12 - Макромодель нелинейной ёмкости

В PSpice аналогичным образом моделируют нелинейные резисторы и катушки индуктивности.

Рассмотренные нелинейные модели системы PSpice имеют следующие недостатки:

- сложны по структуре;

- содержат до двух режимно-зависимых элементов, для идентификации ко­торых использовать математические уравнения, формируемые по экспериментальным данным;

- 3) развитие таких моделей с целью повышения точности связано с резким повышением трудоемкости расчетных операций и увеличения числа узлов эквивалентной схемы и порядка аппроксимирующих уравнений.

2.4.2 Факторные модели ДП

В этом случае ДП представляют в виде "черного ящика" (рисунок 2.13), электрические параметры которого определяет система уравнений. Каждое из уравнений, выбранной системы, выражает зависимость выходного электрического от соответствующего фактора. В качестве выходного параметра, как правило, выбирают полную проводимость. Тогда уравнение можно записать в виде

Y = (X), (2.38)

где Y- полная проводимость ДП;

Х= [Xl,X2, .,Xi, .,Xn]-вектор факторов;.

п - количество факторов.

Факторами могут служить частота f, напряжение U или ток I смещения рабочей точки, температура Т окружающей среды и т .п.

Из анализа факторной модели ДП представленной формулой (2.38) следует:

- ее рациональность - при включения в электрическую схему добавляют всего один всего один узел;

- возможность определять работоспособность ДК по выходным параметрам в процессе их экспериментального определения.

Таким образом, в практической электронике, связанной с проектированием РЭС, преимущества факторной модели очевидны. С другой стороны, по параметрам факторной модели всегда можно определить компонентную модель.

2.5 Модели МП

2.5.1 Традиционные способы описания параметров МП

Описание моделей, как правило, производят с помощью эквивалентных схем - компонентная модель, с помощь матрицы - формальная модель.

Компонентную модель формируют на основе линейных и нелинейных ДП. Такие модели целесообразны для описания активных элементов, например транзисторов, когда применяемые в модели ДП имеют чисто физический смысл.

Формальная модель представляет собой матрицу коэффициентов, которая определяет связь между входными и выходными параметрами МП: токами и напряжениями или падающими и отраженными волнами. Для моделирования МП применяют матрицы Y проводимости, Z сопротивления, А передачи, Н гибридную, S волновую матрицу рассеяния, Т волновую матрицу передачи. Для всех входных и выходных параметров используют следующие матричные уравнения:

 Скачать реферат