Конструирование

Таблица 2.3.

Наименование элемента

lо·10-61/час

Микросхемы средней степени интеграции

Большие интегральные схемы

0,013

0,01

Транзисторы германиевые:

Маломощные

Средней мощности

Мощностью более 200мВт

0,7

0,6

1,91

Кремниевые транзисторы:

Мощностью до 150мВт

Мощностью до 1Вт

Мощностью до 4Вт

0,84

0,5

0,74

Высокочастотные транзисторы:

Малой мощности

Средней мощности

0,2

0,5

Транзисторы полевые

0,1

Конденсаторы

Бумажные

Керамические

Слюдяные

Стеклянные

Пленочные

Электролитические(алюминиевые)

Электролитические(танталовые)

Воздушные переменные

0,05

0,15

0,075

0,06

0,05

0,5

0,035

0,034

Резисторы:

Композиционные

Плёночные

Угольные

Проволочные

0,043

0,03

0,047

0,087

Диоды:

Кремниевые

Выпрямительные

Универсальные

Импульсные

0,2

0,1

0,05

0,1

Стабилитроны

Германиевые

0,0157

Трансформаторы:

Силовые

Звуковой частоты

Высокочастотные

Автотрансформаторные

0,25

0,02

0,045

0,06

Дроссели:

Катушки индуктивности

Реле

0,34

0,02

0,08

Антенны

Микрофоны

Громкоговорители

Оптические датчики

0,36

20

4

4,7

Переключатели, тумблеры, кнопки

Соединители

Гнёзда

0,07n

0.06n

0.01n

Пайка навесного монтажа

Пайка печатного монтажа

Пайка объёмного монтажа

0,01

0,03

0,02

Предохранители

0,5

Волноводы гибкие

Волноводы жёсткие

1,1

9,6

Электродвигатели

Асинхронные

Асинхронные вентиляторы

0,359

2,25

Определим произведение коэффициентов влияний:

li = a х lо, (2.1)

где:

li - произведение коэффициентов влияний;

a - коэффициент влияния температуры;

lо - интенсивность отказов.

li =0,50,2=0,1

В двенадцатой колонке определяем:

lс = li х n, (2.2)

где:

li - произведение коэффициентов влияний;

n - количество элементов.

lс=0,11=0,1

Определим среднее время наработки на отказ:

, (2.3)

где:

Тср – среднее время наработки на отказ

Slс – суммарное значение двенадцатой колонки

Slс = 7,83

Тср = 1/7,8310-6 = 1,3105 часов

3. Конструкторская часть

3.1 Обоснование выбора элементов схемы

3.1.1 Обоснование выбора транзисторов

В ключевом режиме работает транзистор VT2 ПДУ. Произведём выбор наиболее подходящего полупроводникового прибора из ниже приведённого списка.

Таблица 3.1

Тип транзистора

Обратный ток коллектора

Номинальный прямой ток коллектора

КТ315Б

1мкА

0,3А

КТ101А

1мкА

0,1А

КТ312А

1мкА

0,2А

Выбираем транзистор с наибольшим допустимым прямым током типа КТ315Б.

Цепи усиления принятого приёмником сигнала построены на биполярных транзисторах.

Таблица 3.2

Тип транзистора

Статический коэффициент усиления

Номинальный прямой ток стока

КТ315Б

150-200

0,3А

КТ3102А

350

0,3А

КТ312А

150

0,2А

Страница:  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 


Другие рефераты на тему «Коммуникации, связь и радиоэлектроника»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2024 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы