Бестрансформаторный усилитель мощности звуковых частот

К3=КЭН=(1+30)*0,8/(1+30)(0,09+0,8+16)=0,047

Rвх.эп= r1Б+(1+ h21Э)(rэ+ Rэ+ Rн)=523,59(Ом)

Амплитуда входного сигнала :

Uмвв3=Uмн/ К3=13,856/0,047=294,8(В)

Расчет площади радиатора при необходимости производится согласно рекомендациям приведен

ными в следующих разделах.

5) Расчет предоконечного каскада УМЗЧ

Каскад на транзисторе VT2 в режиме класса А и его ток покоя должен превышать амплитуду базового тока выходного каскада:

Ik2 =1,3IBm5=1,3*0,031=0,0403(А)

Рк2=0,5 Ik2 Е0=0,5*0,0403*33,5976=0,6769(Вт)

Для предоконечного каскада желательно выбрать транзистор с возможно большим коэффициентом передачи по току, соблюдая условия

Ркmax≥1.3 Рк; Ркmax≥1,3*1,781=2,3(Вт)

UКЭmax≥1.2Е0; UКЭmax>=1.2*33,5976=40,3171(В)

IKmax≥1.2 Imn; IKmax≥1.2*0,866=1,0392(А)

fh21К≈ fh21Э≥(3…5)fв; fh21К≈ fh21Э≥ (24…40)

Вновь, после проведенного ряда расчетов, произвожу выборку транзисторов VT2 и VT4

и по полученным параметрам подходит транзистор ГТ402Д, h21ЭVT4=30.

Входная емкость VT2 заметно шунтирует сопротивление нагрузки. С целью уменьшения искажений в области верхних частот следует:

fh21Э≥(50…100) fв

При прочих равных условиях для рассчитываемого каскада надо выбрать транзистор с меньшим выходным сопротивлением с целью уменьшения искажений в области верхних частот , возникающих из-за большой входной емкости выходного каскада.

В качестве термокомпенсирующего элемента используется транзистор VT3, работающий в режиме эмиттерного повторителя .Можно использовать маломощный транзистор с подходящими частотными свойствами и наибольшим значением параметра fh21Э.Падение напряжения на нем составляет около 1В ,а рассеиваемая мощность не превышает долей милливатта .Для этих целей вполне подходит транзистор класса КТ3102.

Требование по частоте для транзисторов VT2 и VT3 аналогичны , но выходное сопротивление VT4 должно быть во много раз больше входного сопротивления выходного каскада. С этой целью вводится ООС путем включения резистора R10.Проще всего в качестве VT2 и VT4 выбирать комплементарную пару.

Прежде чем приступить к расчету параметров каскада на VT2 , необходимо определить сопротивление его нагрузки по переменному току. В первую очередь следует рассчитать выходное сопротивление транзистора VT4.

Для стабилизации тока покоя VT4 ток через R7 должен заметно превышать ток через его базу ,т.е.:

IR7≥(3…5) Ik2/ fh21эvt4

R7=U7/ I7= Е0-2UvD/ I7=33,6-4,5/0,51=57(Ом)

В качестве термокомпенсирующих диодов можно использовать почти все кремневые диоды (у германиевых диодов разброс параметров гораздо больше).Например, можно выбрать КД503….КД510 , причем падение постоянного напряжения при включении их в прямом направлении составляет примерно 0,65 В при токах 1….5 мА. Тогда с учетом падения напряжения на переходе база-эмиттер VT4 можно принять:

UR10=2UvD- UБЭVT4=0,5(В)

R10= UR10/ Ik2=0,5/0,04=12,5(Ом)

Рассматривая VT4 как усилительный прибор , включенный по схеме с разделенной нагрузкой , можно рассчитать коэффициент передачи ОС-В1.

В1= R10/ RVT4≈, В1=12,5/40,5=0,3

Коэффициент усиления без ООС:

КвхVT4= h21ЭRвхVT4≈/ RвхVT4 =30*40,5/64,64=18,8

RвхVT4= r1Б+ rэ (1+ h21Э)=1,2+0,65(1+30)=64,64(Ом)

rэ=0,026/ Ik2=0,026/0,0403=0,65(Ом)

rэ- сопротивление эмиттера транзистора , работающего в режиме класса А.

Сопротивление базы r1Брассчитываетсяпо справочным параметрам:

r1Б=τк/Ск=1,2

где τк- постоянная времени цепи обратной связи , а Ск – емкость коллекторного перехода.

С учетом ООС сопротивление переменному току для VT4 составит:

RвыхООСVT4=Rвых(1+ В1 КVT4)=150*103(1+0,3*18,8)=996*103(Ом)

Сопротивление нагрузки по переменному току для VT2 составит:

RVT2= RвхЭП RвыхООСVT4/ RвхЭП +RвыхООСVT4=40,5*150*103/40,5+150*103=31,5(Ом)

Целесообразно выбрать ток делителя IД2 ,заметно меньшеIk2, но

IД2≥(3…5) IБ2 , IД2≥0,3(А)

Как указывалось выше UКЭVT3 ≈1В,тогда

R8+ R9= UКЭVT3/ IД2=1/0,3=3,3(Ом)

Для обеспечения возможности значительного изменения режима работы VT3 целесообразно выбрать

R8= (R8 +R9)/3 и R9=2 (R8 +R9)/3

Соответственно получим: R8 =0,75(Ом),R8=1,5(Ом)

Входное сопротивление VT2 рассчитывается по формуле:

RвхVT2= r1Б+ (1+ h21Э)*0.026/ Ik2=1.2+(1+30)*0.026/0.04=20.9(Ом)

6) Расчет каскада предварительного усилителя.

Ток покоя VT1 выбирается согласно: RвыхООСVT4=Rвых(1+ В1 КVT4)

Если его величина измеряется долями миллиамперметра ,то следует принять Ik1=2…3мА При малых токах частотные свойства кремниевых транзисторов существенно ухудшаются

Тип транзистора выбирается аналогично VT2 .Подойдет любой маломощный транзистор с высоким значением коэффициента передачи по току , например КТ3102Б.

Для обеспечения необходимого тока покоя VT2 следует падать смещение UБЭ Ориентировочно можно принять :

UБЭ 0,7…0,9 В

Режим работы VT1 и VT2 обеспечивается подбора сопротивлений резисторов R1 иR2 .

Резистор R6 частично шунтирует нагрузку усилителя. Следует выполнять условие

R6 ≥100 Rн, R6 ≥100*16=1600(Ом)

Тогда можно рассчитать потенциал эмиттера VT1 ,ток базового делителя и составляющие его резисторы :

UЭVT1=0,5 Е0+ Ik2 R6,0,5*33,6+2,3*10-3*1600=20,48(В)

 Скачать реферат