Эксимерные лазеры

Таблица 3 (EX5 Type II)

Активная среда

ArF

KrF

XeCl

XeF

Длина волны <

/td>

193 нм

248 нм

308 нм

351 нм

Максимальная энергия импульса

5 мДж

8 мДж

4 мДж

2 мДж

Средняя мощность

3 Вт

5 Вт

3 Вт

1 Вт

Максимальная частота повторений

1000 Гц

Стабильность энергии

σ < 2%

Размер пучка

6×3 мм2

Расходимость

0,7×1,4 мрад2

Длительность импульса

9 нс

Охлаждение

Принудительное воздушное охлаждение

Эксплуатационный срок оптики

500 млн. импульсов

1 млрд. импульсов

150 млн. импульсов

150 млн. импульсов

Габариты: 470×250×250 мм; масса: 15 кг.

Оптические компоненты лазера изготовлены из материалов, позволяющих работать на различных длинах волн (157 - 351 нм) без потери качества получаемого излучения. Для получения генерации на другой длине волны нужно просто заменить рабочий газ в камере. Для снижения уровня шумов в лазере предусмотрена встроенная клетка Фарадея. Вторая версия позволяет получить более высокую выходную мощность при увеличении на 50% времени жизни рабочего газа.

Рисунок.

Рисунок.

Излучение лазера обладает высокой стабильностью энергии от импульса к импульсу (0,77% для KrF).

Рисунок.

Управление лазером осуществляется с помощью программного обеспечения, разработанного для операционных систем Windows.

Данный лазер может быть использован:

как источник ионизации;

в компактных оптикоэлектромеханических системах;

для микрообработки;

в лазерной рефрактивной хирургии.

3. Применения

3.1 Фотолизное возбуждение лазерных сред

Фотолизное возбуждение лазерной среды представляет собой случай, когда используется эксимерное излучение в некогерентном виде. В этом случае источник фотонов, возбуждаемый каким-либо способом (например, накачка электронным пучком, разрядом или их комбинацией) посылает излучение через окно в поглощающую активную среду.

Фотолизное возбуждение используется по трем основным причинам. Во-первых, такое возбуждение происходит без участия электронов. С помощью эксимерных систем может быть осуществлена как оптическая накачка (твердотельные и жидкостные лазеры), так и лазерная накачка (лазеры на красителях и мощных твердотельных систем).

Во-вторых, оптическая накачка может иметь преимущества в случае накопительных лазеров. Импульс излучения может быть сжат со времени накачки до времени высвечивания. Один из самых эффективных процессов получения возбужденных частиц - фотодиссоциация.

В-третьих, оптическая накачка эксимерными лазерами может быть отрегулирована по частоте. Это существенно для резонансно-накачиваемых твердотельных систем.

С помощью таких методов как оптическая накачка другой лазерной среды, вынужденное комбинационное рассеяние и параметрическое преобразование можно значительно расширить возможности перестройки частоты излучения эксимерных лазеров (например, на галогенидах инертных газов). Для оптической накачки обычно используют лазеры на красителях, поскольку они могут непрерывно перестраиваться в широком диапазоне длин волн. Стоит отметить, что при этом краситель подвергается значительно меньшему разрушению, чем при накачке импульсной лампой.

Вынужденное комбинационное рассеяние применялось для получения сдвига волны в ArF-, KrF - и XeF-лазерах. Использование околорезонансного комбинационного рассеяния в парах бария позволило перестроить длину волны XeF-лазера с 351 нм на 585 нм, причем КПД преобразования составил 80%. Благодаря тому, что исходное лазерное излучение не находится в резонансе с рассеивающей средой, усиление на смещенной вследствие комбинационного рассеяния длине волны почти такое же, как и усиление на исходной длине волны, в результате чего наблюдаются последовательно сдвинутые линии излучения. Таким образом, любая комбинация лазера и рассеивающей среды позволяет получить несколько линий излучения.

3.2 Генерация коротковолнового излучения

Рентгеновские когерентные источники нашли применение в диагностике очень плотной плазмы, микропроцессах, биохимических и генетических исследованиях. Также источники этого типа применяются в рентгеновской голографии, производстве компонент для микроэлектроники.

3.2.1 Фотолитография

Фотолитография - метод нанесения рисунка на тонкую пленку материала. Минимальный размер детали рисунка определяется дифракционным пределом.

В процессе фотолитографии на толстую подложку (часто кремниевую) наносится тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится фоторезист (материал, изменяющий свои фотохимические свойства при облучении светом). Далее производится экспонирование через фотошаблон (пластину, прозрачную для видимого света, с рисунком, выполненным непрозрачным красителем). Облученные участки фоторезиста изменяют свою растворимость, и их можно удалить с помощью травления. Освобожденные от фоторезиста участки тоже удаляются. В завершении производится удаление остатков фоторезиста.

Страница:  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 


Другие рефераты на тему «Физика и энергетика»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2024 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы