Разгон видеопамяти

Посему мы вынуждены смириться с тем, что руководствоваться в выборе чипов возможно только статистическими данными. Составить представление о поведении тех или иных чипов памяти в разгоне можно, лишь изучив несколько источников.

Тайминги

Таймингами называют временные характеристики чипа памяти, определяющие задержки при проведении определенных действий. Кроме четырех ключевых и пр

ивычных для пользователей CAS Latency, RAS Active Time, RAS Precharge Time и RAS to CAS Delay (те самые сакраментальные 3-8-4-4 или 2-5-2-2), в характеристики чипов памяти входят еще очень немалое их количество. Платы на платформе AMD64, вызывающие восторг пользователей возможностью «подкрутить» с десяток таймингов, резко блекнут на фоне все одной цифры: реальное количество только основных таймингов около 30 штук.

Уменьшая тайминги, мы увеличиваем производительность подсистемы памяти, но снижаем потенциал разгона чипов.

И в данном случае самое важное — найти баланс между максимальной частотой и минимальными таймингами, тот идеальный режим работы, который позволяет достичь наилучших результатов.

Как хрестоматийный антипример связи частоты и таймингов, еще раз приведу культовые Winbond BH-5: работая почти до предела частот на 2-5-2-2, они не реагируют должным образом (увеличением разгона по частоте) при повышении таймингов. Практически все остальные чипы на 2-5-2-2 работать не способны вообще, зато с повышением таймингов и по частоте масштабируются успешнее.

Немного упрощает ситуацию одна тенденция — даже при солидных колебаниях рабочей частоты в зависимости от экземпляра, у модулей на идентичных чипах обычно всегда одинаковы минимальные тайминги.

Кстати, давно замечено, что из четырех таймингов два ведут себя более «капризно», при низких значениях ограничивая разгон или делая невозможным даже прохождение POST. Причина сильного влияния на разгон параметра CAS Latency очевидна, как-никак ключевой показатель. Но RAS to CAS Delay оказался еще более придирчивым — именно из-за него практически все модули неспособны запускаться на заветных 2-5-2-2 даже на DDR400, требуя выставления RAS to CAS на «3», а при дальнейшем разгоне — на «4». RAS Active Time, наоборот, самый непритязательный тайминг и зачастую даже при работе на предельно возможной частоте его можно снизить с «8» или «7» до «6» и даже «5».

Вопрос баланса производительности «тайминги/частота» очень комплексный, достойный подробнейшего изучения в отдельной статье (да и в Сети немало материалов на эту тему), но если кратко, то этот баланс вдобавок еще и платформозависимый. Классические 32-битные Athlon слабо реагируют на смену таймингов. На современные системы на базе Intel одинаково хорошо влияют и высокая частота, и низкие тайминги — это самый сложный случай. А вот Athlon64/FX получает огромный прирост при снижении таймингов, что скорее всего связано с интеграцией контроллера памяти непосредственно в процессор — оперативная память становится очень конкретным «бутылочным горлышком».

Итого: определяя максимальный разгон по частоте «в лабораторных условиях», желательно установить максимальные тайминги для обеспечения чистоты эксперимента. В реальной жизни искать баланс производительности «тайминги/частота» придется, скорее всего, самостоятельно, так как никакие тестирования не способны охватить весь спектр возможных платформ, частот и таймингов. Поиск такого баланса — одна из ключевых задач каждого, кто стремится повысить производительность компьютера путем разгона.

Напряжения

Поднимая питающие напряжения, мы повышаем потенциал работы памяти (в плане предельной частоты, а в некоторых случаях и минимальных таймингов). Именно «напряжения», во множественном числе, так как есть более чем одно напряжение, подаваемое на чипы памяти. Если есть возможность повышать, кроме основного напряжения, также и остальные — желательно это делать, но соблюдая меры предосторожности. Это должно помочь в разгоне, но неаккуратный подход (в виде экспериментаторства с этими дополнительными напряжениями) с большой долей вероятности приведет к несчастью для подопытного устройства.

Между прочим, из-за ошибки в разводке, ABIT IC7-MAX3 при установке «основного» напряжения Vdimm свыше 2.8В (2.9-3.2В) сбрасывает одно из дополнительных напряжений на уровень, соответствующий уровню при Vdimm = 2.5V. Таким образом эффект от повышенного напряжения падает (что исправляется очередным вольтмодом).

Возвращаясь к напряжениям, хочу отметить, что не все чипы одного стандарта одинаково масштабируются при росте напряжения! Это можно заметить, изучив диаграммы в обзоре DDR500. Но в целом, рост есть и достоточно адекватный.

Повышать напряжение можно тоже не бесконечно. Пределом по спецификациям являются обычно 2.9В, именно поэтому большинство производителей материнских плат делают это значение максимально возможным для выставления через BIOS.

Почти все «оверклокерские» модули (и качественные «обычные») способны без особого для них риска работать на напряжении до 3.1-3.2В в качестве постоянного. Для чипов Winbond (по ним накоплена огромная статистика в плане толерантности к напряжениям) например, этот параметр смело можно повышать до 3.3-3.4В, вот только для получения выше 3.2В в любом случае потребуется модификация блока питания. а краткие периоды в тестовых целях, при должном охлаждении, напряжения поднимают даже до 3.6-4.1В (!). Если вы не готовы рисковать памятью ради высоких результатов, повторять такие эксперименты я крайне не советую. При этом (я ориентируюсь на платформу Intel) можно получить, например, частоты выше DDR600 на памяти типа DDR500, или DDR533 с таймингами 2-5-2-2 на (опять и снова;)) Winbond BH-5.

Между прочим, ни при каких напряжениях нельзя заставить нынешние чипы DDR500 работать на этих самых DDR500 на таймингах 2-5-2-2. Сила DDR500 в высоких частотах, и используя такие модули можно лишь постараться снизить тайминги по возможности, но не в ущерб частоте!

Видеокарты, «как всегда», демонстрируют тенденции в работе памяти в самом гипертрофированном виде. Рост частот памяти для видеокарт на R300/350 наблюдался примерно до Vmem = 3.2-3.4В. При этом редкие платы (внешне ничем не отличающиеся от других!) могли повышать потенциал аж до Vmem = 3.8-4.1В, конечно с большим «риском для здоровья», но все же. А вот на Radeon 9800XT вследствие, вероятно, особенностей реализации схемы питания, выше Vmem = 2.9В никакого прироста нет.

Итого: здесь все сравнительно просто. Кроме нескольких исключений, память реагирует на повышение питающего напряжения примерно адекватным ростом тактовой частоты. Вольтмоды — одни из лучших друзей оверклокера, стремящегося получить максимум из системы.

Дизайн РСВ

С нынешним уровнем технологии, плохо изготовить сравнительно примитивную печатную плату для планки памяти будет непросто. Так что скорее стоило бы говорить о повышенных результатах при использовании особых ухищрений в дизайне, вроде серии GeiL Golden Dragon с вообще ни на что не похожей РСВ. Однако, такой «творческий подход» радикально ничего не меняет, принося лишь несколько увеличенную стабильность работы. Для оперативной памяти изыски с РСВ являются только приятным бонусом.

Страница:  1  2  3  4  5  6 


Другие рефераты на тему «Программирование, компьютеры и кибернетика»:

Поиск рефератов

Последние рефераты раздела

Copyright © 2010-2024 - www.refsru.com - рефераты, курсовые и дипломные работы